Pingintau.id, Samsung- Simak, ada DRAM DDR5 32Gb Kelas 12nm berkapasitas tertinggi di Industri persembahan Samsung, ideal untuk Era AI. Bahkan menyediakan dua kali lipat kapasitas modul 16 Gb dalam ukuran paket yang sama, memungkinkan produksi modul DRAM 128 GB tanpa proses TSV dan mengurangi konsumsi daya sebesar 10%.
Produk baru ini juga membuka jalan bagi modul DRAM yang berkapasitas hingga 1TB
Dengan perluasan jajaran DRAM kelas 12nm, Samsung akan melanjutkan kolaborasinya dengan beragam industri dan mendukung berbagai aplikasi
Samsung Electronics, pemimpin dunia dalam teknologi memori canggih, hari ini mengumumkan bahwa mereka telah mengembangkan DRAM1 DDR5 32-gigabit (Gb) berkapasitas tertinggi dan pertama di industri menggunakan teknologi proses kelas 12 nanometer (nm). Pencapaian ini terjadi setelah Samsung memulai produksi massal DRAM DDR5 16Gb kelas 12nm pada Mei 2023. Hal ini memperkuat kepemimpinan Samsung dalam teknologi DRAM generasi berikutnya dan menandai babak berikutnya dalam memori berkapasitas tinggi.
“Dengan DRAM 32Gb kelas 12nm, kami telah mendapatkan solusi yang akan mengaktifkan modul DRAM hingga 1-terabyte (TB), memungkinkan kami berada di posisi ideal untuk melayani kebutuhan DRAM berkapasitas tinggi yang terus meningkat di era AI. (Kecerdasan Buatan) dan data besar,” kata SangJoon Hwang, Wakil Presiden Eksekutif Produk & Teknologi DRAM di Samsung Electronics. “Kami akan terus mengembangkan solusi DRAM melalui teknologi proses dan desain yang berbeda untuk mendobrak batasan teknologi memori.”
Peningkatan Kapasitas DRAM 500.000 Kali Lipat Sejak 1983
Setelah mengembangkan DRAM 64 kilobit (Kb) pertamanya pada tahun 1983, Samsung kini berhasil meningkatkan kapasitas DRAM sebanyak 500.000 kali lipat selama 40 tahun terakhir.
Produk memori terbaru Samsung, yang dikembangkan menggunakan proses dan teknologi mutakhir untuk meningkatkan kepadatan integrasi dan optimalisasi desain, menawarkan kapasitas tertinggi di industri untuk satu chip DRAM dan menawarkan dua kali lipat kapasitas DRAM DDR5 16 Gb dalam ukuran paket yang sama.
Sebelumnya, modul DRAM DDR5 128GB yang diproduksi menggunakan DRAM 16Gb memerlukan proses Through Silicon Via (TSV). Namun dengan menggunakan DRAM 32Gb Samsung, modul 128GB kini dapat diproduksi tanpa menggunakan proses TSV, sekaligus mengurangi konsumsi daya sekitar 10% dibandingkan modul 128GB dengan DRAM 16Gb. Terobosan teknologi ini menjadikan produk ini sebagai solusi optimal bagi perusahaan yang mengedepankan efisiensi daya, seperti pusat data.
Dengan DRAM DDR5 32Gb kelas 12nm sebagai fondasinya, Samsung berencana untuk terus memperluas jajaran DRAM berkapasitas tinggi untuk memenuhi permintaan industri komputasi dan TI saat ini dan masa depan. Samsung akan menegaskan kembali kepemimpinannya di pasar DRAM generasi berikutnya dengan memasok DRAM 32Gb kelas 12nm ke pusat data serta pelanggan yang membutuhkan aplikasi seperti AI dan komputasi generasi berikutnya. Produk ini juga akan memainkan peran penting dalam kelanjutan kolaborasi Samsung dengan pemain industri utama lainnya.Produksi massal DRAM DDR5 32Gb kelas 12nm yang baru dijadwalkan akan dimulai pada akhir tahun ini.[***]
